晶體爐的溫度是多少

A. 晶體熔化時的溫度稱為這種晶體的什麼,冰熔化時的溫度是多少攝

前者稱為熔點,冰的熔點常溫常壓下是攝氏0度.

B. 單晶爐標准熱場溫度

為去除單晶爐熱場溫度測量信號中的低頻干擾、提高溫度信號的估計精度,本文提出了一種基於跨維模擬退火(trans dimensional simulated annealing,TDSA)的單晶爐熱場溫度檢測方法.該方法首先將AIC(Ak...本發明涉及一種增強單晶爐熱場材料力學性能的方法,該方法是對單晶爐熱場材料表面進行塗層,包括步驟如下:以惰性氣體為載氣,將碳源氣體通過化學氣相沉積的方式在單晶爐熱場材料表面沉積一層塗層,沉積溫度900-960℃,沉積壓力3-6kPa.本...通過對C/C復合材料力學性,斷裂性,導熱性,熱彎曲強度,氧化性及燒蝕性幾方面性能進行詳細歸納,總結出其具有其他材料不可替代的獨特性能.深入解析了C/C復合材料在單晶硅製造中作為熱場材料應用的可能性乃至必要性,提出C/C復合材料終將取代...

C. 「晶體」或「非晶體」熔化完所需的溫度

非晶體
晶體熔化時候溫度固定不變，非晶體沒固定的熔化溫度

D. 您好，您有硅 單晶爐的相關資料嗎 關於其設備，材料，方法什麼的，謝謝。

單晶硅生長爐是通過直拉法制備單晶硅的製造設備。

原理簡介
首先，把高純度的多晶硅原料放入高純石英坩堝，通過石墨加熱器產生的高溫將其熔化；然後，對熔化的硅液稍做降溫，使之產生一定的過冷度，再用一根固定在籽晶軸上的硅單晶體（稱作籽晶）插入熔體表面，待籽晶與熔體熔和後，慢慢向上拉籽晶，晶體便會在籽晶下端生長；接著，控制籽晶生長出一段長為100mm 左右、直徑為3～5mm的細頸，用於消除高溫溶液對籽晶的強烈熱沖擊而產生的原子排列的位錯，這個過程就是引晶；隨後，放大晶體直徑到工藝要求的大小，一般為75～300mm，這個過程稱為放肩；接著，突然提高拉速進行轉肩操作，使肩部近似直角；然後，進入等徑工藝，通過控制熱場溫度和晶體提升速度，生長出一定直徑規格大小的單晶柱體；最後，待大部分硅溶液都已經完成結晶時，再將晶體逐漸縮小而形成一個尾形錐體，稱為收尾工藝；這樣一個單晶拉制過程就基本完成，進行一定的保溫冷卻後就可以取出。
直拉法，也叫切克勞斯基（J.Czochralski）方法。此法早在1917年由切克勞斯基建立的一種晶體生長方法，用直拉法生長單晶的設備和工藝比較簡單，容易實現自動控制，生產效率高，易於制備大直徑單晶，容易控制單晶中雜質濃度，可以制備低電阻率單晶。據統計，世界上硅單晶的產量中70％～80％是用直拉法生產的。

目前國內外晶體生長設備的現狀如下：

美國KAYEX公司
國外以美國KAYEX 公司為代表，生產全自動硅單晶體生長爐。KAYEX公司是目前世界上最大，最先進的硅單晶體生長爐製造商之一。KAYEX的產品早在80年代初就進入中國市場，已成為中國半導體行業使用最多的品牌。該公司生長的硅晶體生長爐從抽真空－檢漏－熔料－引晶－放肩－等徑－收尾到關機的全過程由計算機實行全自動控制。晶體產品的完整性與均勻性好，直徑偏差在單晶全長內僅±1mm。主要產品有CG3000、CG6000、KAYEX100PV、 KAYEX120PV、KEYEX150，Vision300型，投料量分別為30kg、60kg、100kg、120kg、150kg、300kg。

德國CGS GmbH公司
德國Crystal Growing Systems (CGS) GmbH公司成立於1999年8月，其前身為德國萊寶公司晶體生長部。目前其產品已經覆蓋生產6」到16」單晶硅棒的設備，設備主要有EKZ2700、 EKZ 3500/200、EKZ 3000/300，EKZ 3000/400型，投料量分別為60kg、150kg、300kg，400kg。

中國西安理工大學研究所
國內以西安理工大學的晶體生長設備研究所為代表，自61年起開始生產晶體生長設備。主要產品有TDR-62B、TDR-70B、TDR-80。上虞晶盛機電工程有限公司是國內單晶硅生長爐行業的後起之秀，自主研發了真正的全自動控制系統，產品迅速佔領了IC級硅材料行業和高端太陽能行業，主要產品有TDR80A-ZJS、 TDR80B-ZJS、TDR80C-ZJS、TDR85A-ZJS、TDR95A-ZJS、TDR112A-ZJS。

晶體爐特點
HD系列硅單晶爐的爐室採用3節設計。上筒和上蓋可以上升並向兩邊轉動，便於裝料和維護等。爐筒升降支撐採用雙立柱設計，提高穩定性。支撐柱安裝在爐體支撐平台的上面，便於平台下面設備的維護。爐筒升降採用絲杠提升技術，簡便干凈。
全自動控制系統採用模塊化設計，維護方便，可靠性高，抗干擾性好。雙攝像頭實時採集晶體直徑信息。液面測溫確保下籽晶溫度和可重復性。爐內溫度或加熱功率控制方式可選，保證控溫精度。質量流量計精確控制氬氣流量。高精度真空計結合電動蝶閥實時控制爐內真空度。上稱重感測器用於晶棒直徑的輔助控制。伺服電機和步進電機的混合使用，即可滿足轉動所需的扭矩，又可實現轉速的精確控制。質量流量計精確控制氬氣流量。
自主產權的控制軟體採用視窗平台，操作方便簡潔直觀。多種曲線和數據交叉分析工具提供了工藝實時監控的平台。完整的工藝設定界面使計算機可以自動完成幾乎所有的工藝過程。
加熱電源採用綠色縱向12脈沖直流電源。比傳統直流電源節能近15%。
特殊的溫場設計使晶體提拉速度提高20-30%。

E. 鍋爐的最佳供熱溫度是多少度

摘要 鍋爐的最佳供熱溫度根據爐型大小為90-110度，回水根據運行習慣一般為50-70度

F. 晶體的起始溫度為多少度

晶體開始 （ 融化) 的溫度.晶體的熔點與晶體含有 ( 雜質) 的多少和受( 壓強 ) 大小有關,壓強越大,晶體熔點越 ( 高) ；含有雜質越多,晶體熔點越( 低 )

G. 晶體熔化會發放熱,溫度是多少

晶體熔化需要吸熱，怎麼會放熱？
而且，不同晶體，它的熔點也是不一樣的。

熔化和凝固

（1）物質從固態變成液態的過程叫熔化。從液態變成固態的過程叫凝固。

（2）熔點和凝固點：固體分晶體和非晶體兩類。晶體都在一定的溫度下熔化，也在一定的溫度下凝固；晶體熔化時的溫度叫做熔點，液態晶體凝固時的溫度叫做凝固點。在相同條件下，同一種晶體的凝固點跟它的熔點相同。例如冰的熔點是 ，水的凝固點也是 。非晶體（如松香）在加熱過程中，先變軟，然後逐漸變稀，最後全部成為液態，沒有一定的熔化溫度；液態的非晶體（如瀝青）隨著溫度的降低，逐漸變稠、變粘、變硬，最後成為固體，也沒有一定的凝固溫度，所以非晶體沒有熔點和凝固點。

晶體熔化和凝固的條件

晶體熔化的條件：（1）溫度要達到熔點；（2）要繼續吸熱。

晶體凝固的條件：（1）溫度要達到凝固點；（2）要繼續放熱。

H. 石英砂高溫下晶體轉化溫度是多少度

它的溫度溫度高了，貼上去沒事，四五十多吧，嗯，天上也是有分枝，哪些都有房，要是騎車回去都是五十幾度啊。四十幾度吧，我們中國這些地方的一般是四十幾度吧。