晶體管多少值合適

❶ 晶體管計算HFE有好幾個值應該取哪個值比如2sc2458 hfe70——700 應該用哪個值請高手賜教，謝謝

HFE與工作點有關，電流和電壓過大或過小時HFE都會降低。所以需要根據選定的工作點來取HFE值。

❷ 晶體管定義和分類

1.場效應管主要有結型場效應管（JFET）和絕緣柵型場效應管（IGFET）。絕緣柵型
場效應管的襯底（B）與源析（S）連在一起，它的三個極分別為柵極（G）、漏極（D）
和源極（S）。晶體管分NPN和PNP管，它的三個極分別為基極（b）、集電極（c）、發射
極（e）。場效應管的G、D、S極與晶體管的b、c、e極有相似的功能。絕緣柵型效應管和
結型場效應管的區別在於它們的導電機構和電流控制原理根本不同，結型管是利用耗盡
區的寬度變化來改變導電溝道的寬窄以便控制漏極電流，絕緣柵型場效應管則是用半導
體表面的電場效應、電感應電荷的多少去改變導電溝道來控制電流。它們性質的差異使
結型場效應管往往運用在功放輸入級（前級），絕緣柵型場效應管則用在功放末級（輸
出級）。

2.雙極型晶體管內部電流由兩種載流子形成，它是利用電流來控制。場效應管是電
壓控制器件，柵極（G）基本上不取電流，而晶體管的基極總要取一定的電流，所以在只
允許從信號源取極小量電流的情況下，應該選用場效應管。而在允許取一定量電流時，
選用晶體管進行放大，可以得到比場效應管高的電壓放大倍數。

3.場效應管是利用多子導電（多子：電子為多數載流子，簡稱多子），而晶體管是
既利用多子，又利用少子（空穴為少數載流子，簡稱少子），由於少子的濃度易受溫度
，輻射等外界條件的影響，因此在環境變化比較劇烈的條件下，採用場效應管比較合適
。

4.功率放大電路是一種弱電系統，具有很高的靈敏度，很容易接受外界和內部一些
無規則信號的影響，也就是在放大器的輸入端短路時，輸出端仍有一些無規則的電壓或
電流變化輸出，利用示波器或揚聲器就可覺察到。這就是功率放大器的雜訊或干擾電壓
。雜訊所產生的影響常用雜訊系數Nf表示，單位為分貝（dB），Nf越小越好，Nf=輸入信
號雜訊比/輸出信號雜訊比，晶體管的雜訊來源有三種：⑴熱雜訊：由於載流子不規則的
熱運動，通過半導體管內的體電阻時而產生；⑵散粒雜訊：通常所說的三極體中的電流
只是一個平均值，實際上通過發射結注入基區的載流子數目，在各個瞬時都不相同，因
而引起發射極電流或集電極電流有一無規則的流動，產生散粒雜訊；⑶顫動雜訊：晶體
管產生顫動雜訊的原因現在還不十分清楚，但被設想為載流子在晶體表面的產生和復合
所引起，因此與半導體材料本身及工藝水平有關。而場效應管的雜訊只產生於載流子的
運動，所以場效應管的Nf比晶體管的要小。

放大器不僅其放大其輸入端的雜訊，而且，放大器本身也存在雜訊，所以其輸
出端的信噪比必然小於輸入端信噪比，放大器本身雜訊越大，它的輸出端信噪比就越小
於輸入端信噪比，Nf就越大，所以在低雜訊放大器的前級通常選用場效應管，或者低噪
聲晶體管。

5.場效應管的漏、源極可以互換、耗盡型絕緣柵管的柵極電壓可正，可負，靈活性
比晶體管強。不過在音響功率放大器中，場效應管多以N溝/P溝對管出現，晶體管也以PN
P/NPN對管出現。但場效應管在業余應用中較為脆弱，成本也較高。

從以上場效應管和晶體管的對比中不難發現，場效應管具有輸入阻抗高、雜訊
低、功耗低、熱穩定性高、抗輻射能力強等優點，因此場效應管的總體性能上要優於晶
體管，在許多優秀的功率放大器中，場效應管得到了較為普遍的採用。而採用晶體管的
功率放大器取得靚聲者也同樣屢見不鮮。工程師根據兩種管子的特性，取其各自的優點
，設計出一種組合管，效果嘛，當然比它們好。

❸ 求速解:multisim中如何選擇合適的晶體管,或者如何修改晶體管的貝塔值

通常管帽上有色點來代表直流貝塔值讀數規則跟色環電阻差不多隻是數字後面加個0比方色點是綠色代表放大倍數為50左右色點是灰色倍數為80左右

❹ 晶體管的參數

二極體IN5304的參數
型號 VR（V） IF（A）VF（V）IR2（µA）IR1（µA）IPM（A）f（KHz）Tjm（℃）
IN5304 400 3 £0．8 £1000 £10 150 3 175
http://www1.gradjob.com.cn/EBSync/jpkc/ecation/jxwj/04zhsx/214.htm

三極體2SA1265的參數
晶體管型號 反壓Vbeo 電流Icm 功率Pcm 放大系數 特徵頻率 管子類型
2SA1265 140V 10A 30W * * PNP
http://www.cdxhw.com/jtg.htm

❺ 晶體管的β值是不是越大越好

不是，β值是電流的放大倍數。不能越大越好，必須滿足電路的要求，和周圍電路相匹配

❻ 晶體管的主要參數有哪些

晶體管主要參數，晶體管主要參數晶體管的主要參數有電流放大系數、耗散功率、頻率特性、集電極最大電流、最大反向電壓、反向電流等。

晶體管主要參數

晶體管的主要參數有電流放大系數、耗散功率、頻率特性、集電極最大電流、最大反向電壓、反向電流等。
※ 電流放大系數
電流放大系數也稱電流放大倍數，用來表示晶體管放大能力。
根據晶體管工作狀態的不同，電流放大系數又分為直流電流放大系數和交流電流放大系數。
1、直流電流放大系數 直流電流放大系數也稱靜態電流放大系數或直流放大倍數，是指在靜態無變化信號輸入時，晶體管集電極電流IC與基極電流IB的比值，一般用hFE或β表示。
2、交流電流放大系數 交流電流放大系數也稱動態電流放大系數或交流放大倍數，是指在交流狀態下，晶體管集電極電流變化量△IC與基極電流變化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。
hFE或β既有區別又關系密切，兩個參數值在低頻時較接近，在高頻時有一些差異。

耗散功率

耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數變化不超過規定允許值時的最大集電極耗散功率。
耗散功率與晶體管的最高允許結溫和集電極最大電流有密切關系。晶體管在使用時，其實際功耗不允許超過PCM值，否則會造成晶體管因過載而損壞。
通常將耗散功率PCM小於1W的晶體管稱為小功率晶體管，PCM等於或大於1W、小於5W的晶體管被稱為中功率晶體管，將PCM等於或大於5W的晶體管稱為大功率晶體管。

頻率特性

晶體管的電流放大系數與工作頻率有關。若晶體管超過了其工作頻率范圍，則會出現放大能力減弱甚至失去放大作用。
晶體管的頻率特性參數主要包括特徵頻率fT和最高振盪頻率fM等。
1、特徵頻率fT 晶體管的工作頻率超過截止頻率fβ或fα時，其電流放大系數β值將隨著頻率的升高而下降。特徵頻率是指β值降為1時晶體管的工作頻率。
通常將特徵頻率fT小於或等於3MHZ的晶體管稱為低頻管，將fT大於或等於30MHZ的晶體管稱為高頻管，將fT大於3MHZ、小於30MHZ的晶體管稱為中頻管。
2、最高振盪頻率fM 最高振盪頻率是指晶體管的功率增益降為1時所對應的頻率。
通常，高頻晶體管的最高振盪頻率低於共基極截止頻率fα，而特徵頻率fT則高於共基極截止頻率fα、低於共集電極截止頻率fβ。
集電極最大電流ICM
集電極最大電流是指晶體管集電極所允許通過的最大電流。當晶體管的集電極電流IC超過ICM時，晶體管的β值等參數將發生明顯變化，影響其正常工作，甚至還會損壞。
最大反向電壓
最大反向電壓是指晶體管在工作時所允許施加的最高工作電壓。它包括集電極—發射極反向擊穿電壓、集電極—基極反向擊穿電壓和發射極—基極反向擊穿電壓。
1、集電極——集電極反向擊穿電壓 該電壓是指當晶體管基極開路時，其集電極與發射極之間的最大允許反向電壓，一般用VCEO或BVCEO表示。
2、基極—— 基極反向擊穿電壓 該電壓是指當晶體管發射極開路時，其集電極與基極之間的最大允許反向電壓，用VCBO或BVCBO表示。
3、發射極——發射極反向擊穿電壓 該電壓是指當晶體管的集電極開路時，其發射極與基極與之間的最大允許反向電壓，用VEBO或BVEBO表示。

反向電流

晶體管的反向電流包括其集電極—基極之間的反向電流ICBO和集電極—發射極之間的反向擊穿電流ICEO。
1．集電極——基極之間的反向電流ICBO ICBO也稱集電結反向漏電電流，是指當晶體管的發射極開路時，集電極與基極之間的反向電流。ICBO對溫度較敏感，該值越小，說明晶體管的溫度特性越好。
2．集電極——發射極之間的反向擊穿電流ICEO ICEO是指當晶體管的基極開路時，其集電極與發射極之間的反向漏電電流，也稱穿透電流。此電流值越小，說明晶體管的性能越好。

❼ 三極體的主要參數有哪些

1、共射電流放大系數 和β
在共射極放大電路中，若交流輸入信號為零，則管子各極間的電壓和電流都是直流量，此時的集電極電流IC和基極電流IB的比就是 ， 稱為共射直流電流放大系數。
當共射極放大電路有交流信號輸入時，因交流信號的作用，必然會引起IB的變化，相應的也會引起IC的變化，兩電流變化量的比稱為共射交流電流放大系數β，即

（5-6）

上述兩個電流放大系數 和β的含義雖然不同，但工作在輸出特性曲線放大區平坦部分的三極體，兩者的差異極小，可做近似相等處理，故在今後應用時，通常不加區分，直接互相替代使用。

由於製造工藝的分散性，同一型號三極體的β值差異較大。常用的小功率三極體，β值一般為20～100。β過小，管子的電流放大作用小，β過大，管子工作的穩定性差，一般選用β在40～80之間的管子較為合適。

2、極間反向飽和電流ICBO和ICEO

（1）集電結反向飽和電流ICBO是指發射極開路，集電結加反向電壓時測得的集電極電流。常溫下，硅管的ICBO在nA（10-9）的量級，通常可忽略。

（2）集電極-發射極反向電流ICEO是指基極開路時，集電極與發射極之間的反向電流，即穿透電流，穿透電流的大小受溫度的影響較大，穿透電流小的管子熱穩定性好。

3、極限參數

（1）集電極最大允許電流ICM

晶體管的集電極電流IC在相當大的范圍內β值基本保持不變，但當IC的數值大到一定程度時，電流放大系數β值將下降。使β明顯減少的IC即為ICM。為了使三極體在放大電路中能正常工作，IC不應超過ICM。

（2）集電極最大允許功耗PCM

晶體管工作時、集電極電流在集電結上將產生熱量，產生熱量所消耗的功率就是集電極的功耗PCM，即

PCM=ICUCE （5-7）

功耗與三極體的結溫有關，結溫又與環境溫度、管子是否有散熱器等條件相關。根據5-7式可在輸出特性曲線上作出三極體的允許功耗線，如圖5-8所示。功耗線的左下方為安全工作區，右上方為過損耗區。

手冊上給出的PCM值是在常溫下25℃時測得的。硅管集電結的上限溫度為150℃左右，鍺管為70℃左右，使用時應注意不要超過此值，否則管子將損壞。

（3）反向擊穿電壓UBR（CEO）

反向擊穿電壓UBR（CEO）是指基極開路時，加在集電極與發射極之間的最大允許電壓。使用中如果管子兩端的電壓UCE＞UBR（CEO），集電極電流IC將急劇增大，這種現象稱為擊穿。管子擊穿將造成三極體永久性的損壞。三極體電路在電源EC的值選得過大時，有可能會出現，當管子截止時，UCE＞UBR（CEO）導致三極體擊穿而損壞的現象。一般情況下，三極體電路的電源電壓EC應小於1/2 UBR（CEO）。

4、溫度對三極體參數的影響

幾乎所有的三極體參數都與溫度有關，因此不容忽視。溫度對下列的三個參數影響最大。

（1）對β的影響：

三極體的β隨溫度的升高將增大，溫度每上升l℃，β值約增大0.5～1％，其結果是在相同的IB情況下，集電極電流IC隨溫度上升而增大。

（2）對反向飽和電流ICEO的影響：

ICEO是由少數載流子漂移運動形成的，它與環境溫度關系很大，ICEO隨溫度上升會急劇增加。溫度上升10℃，ICEO將增加一倍。由於硅管的ICEO很小，所以，溫度對硅管ICEO的影響不大。

（3）對發射結電壓ube的影響：

和二極體的正向特性一樣，溫度上升1℃，ube將下降2～2.5mV。

綜上所述，隨著溫度的上升，β值將增大，iC也將增大，uCE將下降，這對三極體放大作用不利，使用中應採取相應的措施克服溫度的影響。

❽ 普通晶體管阻值一般為多少，用萬用表電阻檔R*1，R*10，R*100，R*1K，還是其他檔

要用*1K檔，最好不用*1檔。導通會有幾K電阻，反向會有幾百K。反差越大越好。

❾ 晶體管的主要參數

晶體管的主要參數有電流放大系數、耗散功率、頻率特性、集電極最大電流、最大反向電壓、反向電流等。
※ 電流放大系數
電流放大系數也稱電流放大倍數，用來表示晶體管放大能力。
根據晶體管工作狀態的不同，電流放大系數又分為直流電流放大系數和交流電流放大系數。
1、直流電流放大系數 直流電流放大系數也稱靜態電流放大系數或直流放大倍數，是指在靜態無變化信號輸入時，晶體管集電極電流IC與基極電流IB的比值，一般用hFE或β表示。
2、交流電流放大系數 交流電流放大系數也稱動態電流放大系數或交流放大倍數，是指在交流狀態下，晶體管集電極電流變化量△IC與基極電流變化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。
hFE或β既有區別又關系密切，兩個參數值在低頻時較接近，在高頻時有一些差異。 晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用於檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能。晶體管作為一種可變開關，基於輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可做為電流的開關，和一般機械開關（如Relay、switch）不同處在於晶體管是利用電訊號來控制，而且開關速度可以非常之快，在實驗室中的切換速度可達100GHz以上。
半導體三極體，是內部含有兩個PN結，外部通常為三個引出電極的半導體器件。它對電信號有放大和開關等作用，應用十分廣泛。輸入級和輸出級都採用晶體管的邏輯電路，叫做晶體管－晶體管邏輯電路，書刊和實用中都簡稱為TTL電路，它屬於半導體集成電路的一種，其中用得最普遍的是TTL與非門。TTL與非門是將若干個晶體管和電阻元件組成的電路系統集中製造在一塊很小的矽片上，封裝成一個獨立的元件。半導體三極體是電路中應用最廣泛的器件之一，在電路中用「V」或「VT」（舊文字元號為「Q」、「GB」等）表示。
半導體三極體主要分為兩大類：雙極性晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）。晶體管有三個極；雙極性晶體管的三個極，分別由N型跟P型組成發射極（Emitter）、基極 (Base) 和集電極（Collector）；場效應晶體管的三個極，分別是源極 （Source）、柵極（Gate）和漏極（Drain）。晶體管因為有三種極性，所以也有三種的使用方式，分別是發射極接地（又稱共射放大、CE組態）、基極接地、集電極接地。最常用的用途應該是屬於訊號放大這一方面，其次是阻抗匹配、訊號轉換……等，晶體管在電路中是個很重要的組件，許多精密的組件主要都是由晶體管製成的。
三極體的導通 三極體處於放大狀態還是開關狀態要看給三極體基極加的直流偏置，隨這個電流變化，三極體工作狀態由截止-線性區-飽和狀態變化而變， 如果三極體Ib（直流偏置點）一定時，三極體工作在線性區，此時Ic電流的變化只隨著Ib的交流信號變化，Ib繼續升高，三極體進入飽和狀態，此時三極體的Ic不再變化，三極體將工作在開關狀態。
三極體為開關管使用時工作在飽和狀態1，用放大狀態1表示不是很科學。
請對照三極體手冊的Ib；Ic曲線加以參考我的回答來理解三極體的工作狀態，三極體be結和ce結導通三極體才能正常工作。
如果三極體沒有加直流偏置時，放大電路時輸入的交流正弦信號正半周時，基極對發射極而言是正的，由於發射結加的是反向電壓，此時沒有基極電流和集電極電流，此時集電極電流變化與基極反相，在輸入電壓的負半周，發射極電位對於基極電位為正的，此時由於發射極加的是正向電壓，才有基極和集電極電流通過，此時集電極電流變化與基極同相， 在三極體沒有加直流偏置時三極體be結和ce結導通，三極體放大電路將只有半個波輸出將產生嚴重的失真。