mos電流多少瓦合適

❶ 一般的MOS功率管能承受多少A電流現在一塊充電板想讓它輸出達10A電流，用2個功率管不知道能否承受得住

你的耐壓要多高的？如果600v的那就用 12n60可以了，這顆mos是12a的電流600v耐壓。看你留的餘量多少咯。

❷ 怎麼估算MOSFET到底要多大的驅動電流

沒法估算.

因為行業標准,就是用電流元,充電Qg電量後,MOS導通.

但人們用的是電壓元.

所以Qg並沒有意義.

你需要注意的是,電流不要超過driver的驅動能力.

那麼剩下的,就是用示波器,才找到合適的參數.

需要指出的是,driver的輸出電流,不是電流元.

是相當於一個電壓元串聯一個可變電阻.

電流越大,輸出電壓就越小.

所以不要超過driver的驅動能力,在降低1V的情況下.

要麼加大G的串聯電阻,要末用大電流的driver.

你肯定會選擇電阻的.

驅動根本沒有必要太快,事實上,肯定是不快不慢為好.

❸ LED電源多大功率用多大電流的MOS管

這個是需要查表的，像4N60，明明標的是4A600V，但是用在220V直流上，它的最大功率不是220X4A=880W。實際他只有七八十瓦。所以，主要是看他的實際功率除以他的實際電流，也就是80瓦MOS配46WLED燈（LED功率=80W/1.732=46.19W)

❹ 一般功率mos管的導通電流參數如何選擇

1. 是用N溝道還是P溝道 。選擇好MOS管器件的第一步是決定採用N溝道還是P溝道MOS管。在典型的功率應用中，當一個MOS管接地，而負載連接到干線電壓上時，該MOS管就構 成了低壓側開關。在低壓側開關中，應採用N溝道MOS管，這是出於對關閉或導通器件所需電壓的考慮。當MOS管連接到匯流排及負載接地時，就要用高壓側開 關。通常會在這個拓撲中採用P溝道MOS管，這也是出於對電壓驅動的考慮。
確定所需的額定電壓，或者器件所能承受的最大電壓。額定電壓越大，器件 的成本就越高。根據實踐經驗，額定電壓應當大於干線電壓或匯流排電壓。這樣才能提供足夠的保護，使MOS管不會失效。就選擇MOS管而言，必須確定漏極至源 極間可能承受的最大電壓，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大電壓會隨溫度而變化這點十分重要。我們須在整個工作溫度范圍內測試電壓的變化范圍。額定 電壓必須有足夠的餘量覆蓋這個變化范圍，確保電路不會失效。需要考慮的其他安全因素包括由開關電子設備（如電機或變壓器）誘發的電壓瞬變。不同應用的額定 電壓也有所不同；通常，攜帶型設備為20V、FPGA電源為20～30V、85～220VAC應用為450～600V。 2. 確定MOS管的額定電流。該額定電流應是負載在所有情況下能夠承受的最大電流。與電壓的情況相似，確保所選的MOS管能承受這個額定電流，即使在系統產生 尖峰電流時。兩個考慮的電流情況是連續模式和脈沖尖峰。在連續導通模式下，MOS管處於穩態，此時電流連續通過器件。脈沖尖峰是指有大量電涌（或尖峰電 流）流過器件。一旦確定了這些條件下的最大電流，只需直接選擇能承受這個最大電流的器件便可。
選好額定電流後，還必須計算導通損耗。在實際情況 下，MOS管並不是理想的器件，因為在導電過程中會有電能損耗，這稱之為導通損耗。MOS管在「導通」時就像一個可變電阻，由器件的RDS（ON）所確 定，並隨溫度而顯著變化。器件的功率耗損可由Iload2×RDS（ON）計算，由於導通電阻隨溫度變化，因此功率耗損也會隨之按比例變化。對MOS管施 加的電壓VGS越高，RDS（ON）就會越小；反之RDS（ON）就會越高。注意RDS（ON）電阻會隨著電流輕微上升。關於RDS（ON）電阻的各種電 氣參數變化可在製造商提供的技術資料表中查到。
3.選擇MOS管的下一步是系統的散熱要求。須考慮兩種不同的情況，即最壞情況和真實情況。建議採用針對最壞情況的計算結果，因為這個結果提供更大的安全餘量，能確保系統不會失效。在MOS管的資料表上還有一些需要注意的測量數據；
器件的結溫等於最大環境溫度加上熱阻與功率耗散的乘積（結溫=最大環境溫度+［熱阻×功率耗散］）。根據這個式子可解出系統的最大功率耗散，即按定義相等於I2×RDS（ON）。我們已將要通過器件的最大電流，可以計算出不同溫度下的RDS（ON）。另外，還要做好電路板 及其MOS管的散熱。
雪崩擊穿是指半導體器件上的反向電壓超過最大值，並形成強電場使器件內電流增加。晶片尺寸的增加會提高抗雪崩能力，最終提高器件的穩健性。因此選擇更大的封裝件可以有效防止雪崩。
4. 選擇MOS管的最後一步是決定MOS管的開關性能。影響開關性能的參數有很多，但最重要的是柵極/漏極、柵極/ 源極及漏極/源極電容。這些電容會在器件中產生開關損耗，因為在每次開關時都要對它們充電。MOS管的開關速度因此被降低，器件效率也下降。為計算開關過 程中器件的總損耗，要計算開通過程中的損耗（Eon）和關閉過程中的損耗（Eoff）。MOSFET開關的總功率可用如下方程表達：Psw= （Eon+Eoff）×開關頻率。而柵極電荷（Qgd）對開關性能的影響最大。

❺ 請教MOS管，大家常說多少安培的MOS，耐壓多少伏特的MOS，具體是指MOS管的那些參數啊

1、耐壓值，額定電流值本身就是MOS管的重要參數。
2、還有很多參數，其中比較重要的是導通電阻、開關速度、開啟電壓和額定功率。
你的補充基本正確，但最大電流一處有錯，MOS管的電流參數很多時候廠家會給出連續電流，短時間電流和峰值電流，泛指最大電流不是很恰當，所以在應用時要根據應用的實際情況，認真看具體mos管的詳盡參數。

❻ mos管7n65做led電源多少瓦

7n65的電流最大可達6.5A,但mos管不同於三極體,它的導通電阻比大功率三極體大了一個數量級以上,容易發熱,因此,它們在電路中的實際電流一般在1/10以下,如散熱做得好可略高些,在220v電源下這個管子通常在50w左右的電源中使用,最大不應大於100w.

❼ 電路mos電流選擇多大餘量

一般1.5倍。
具體電路要具體分析。不同的負載，如阻性還是感性負載，餘量是不同的。
不同的品牌同樣型號的也是有差異的，老外本身做的餘量會大一點，TW次之，再其次就是國內。雖然標的電壓電流都相同，但區別也很大。