吹中頻晶元的溫度是多少

A. 請問在主板上去取IC風槍溫度多少才合適，我用360℃取時鍾晶元吹了4分鍾多沒有吹下來，

1，建議先用料板試手。
2，如果有大面積敷銅，需要先預熱。
3，設置360度，未必元件就是360度。

B. 請問用熱風槍吹筆記本的晶元一般溫度多少風度多少合適

你好，這個根據我個人經驗，300到380，也許更高的。你還是慢慢的由300加大，看看有什麼反應。也要看你用的什麼牌子的，我用的快克858要到350度，進口的那種就340度。我拆PSP的晶元都是這么高的溫度。一般建議你拆的時候不要用風扇，不然的話容易爆晶元。祝你工作愉快。

C. 用熱風槍吹晶元溫度一般控制在哪裡

用熱風槍吹晶元溫度根據CPU的類別和熱風槍的溫度和風速的不同而不同，經驗如下：

1、BGA晶元。熱風槍溫度300度、風速80至100檔、換大風口，在晶元上加助焊膏，保持風槍口離被拆元件1至2厘米，風槍垂直於被拆元件並回字形晃動 使其均勻受熱，加熱的同時用鑷子輕輕撥動晶元 ，能動就可以用鑷子取下。

2、帶膠BGA晶元。熱風槍溫度180至220度、網速60至90檔、將晶元四周黑膠用彎鑷子刮干凈。然後溫度 360左右、風速80至100、依據晶元大小換合適的風嘴。

3、在晶元上加助焊膏 保持風槍口離被拆元件1至2厘米，風槍垂直於被 拆元件並回字形晃動使其均勻受熱，加熱的同時用鑷子輕輕撥動晶元 ，能動就可以用鑷子取下。

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正確運用熱風槍要注意的問題：

1、晶元拆取時焊接引腳的錫球均應完全熔化 ，如果有未完全熔化的錫球存在，起撥ic時則易破壞這些錫球連接的焊盤。同洋，在對晶元進行焊接時，如果有未完全熔化的錫球存在，就會造成虛焊。

2、操作間隙合適為了便於操作 熱風槍噴嘴內部邊緣與所焊ic之間的間隙不可太小，至少保持3厘米間隙。

D. 熱風槍焊晶元的溫度是多少啊把焊好的晶元焊下來的溫度是多少焊下來會壞掉么

如果焊接主板推薦使用850風槍 平時溫度在380左右 吹主板5級別風量就行

E. 用熱風槍吹取晶元，溫度多少比較合適

一般常用的220度左右就行了。

集成電路英語：integrated circuit，縮寫作 IC；或稱微電路（microcircuit）、微晶元（microchip）、晶片/晶元（chip）在電子學中是一種將電路（主要包括半導體設備，也包括被動組件等）小型化的方式，並時常製造在半導體晶圓表面上。

電路製造在半導體晶元表面上的集成電路又稱薄膜（thin-film）集成電路。另有一種厚膜（thick-film）集成電路（hybrid integrated circuit）是由獨立半導體設備和被動組件，集成到襯底或線路板所構成的小型化電路。

從1949年到1957年，維爾納·雅各比（Werner Jacobi）、傑弗里·杜默（Jeffrey Dummer）、西德尼·達林頓（Sidney Darlington）、樽井康夫（Yasuo Tarui）都開發了原型，但現代集成電路是由傑克·基爾比在1958年發明的。其因此榮獲2000年諾貝爾物理獎，但同時間也發展出近代實用的集成電路的羅伯特·諾伊斯，卻早於1990年就過世。

F. 熱風槍拆晶元，溫度為多少合適

一般要保證晶元附近的溫度在200到240度之間。
這主要看需要焊接的晶元是有鉛製程還是無鉛製程，有鉛製程需要的溫度一般比無鉛製程需要的溫度低十度到二十度。
要詢問設置熱風槍，需要考慮熱風槍的氣流大小和風速，以及晶元本身的大小，無法給一個比較可靠的參數！

G. 風槍吹焊晶元用多少溫度合適

如果焊接主板推薦使用850風槍 平時溫度在380左右 吹主板5級別風量就行

如果是焊接手機推薦使用旋轉風的 溫度不要太高

熱風槍不能太垃圾 國產中快客最好！價格也高 安泰信 速工 高迪等都是大眾化品牌

也不要太嚴格 依照自己的使用習慣和手感來

H. 主板的話，各晶元都多少溫度和用哪個風槍

861，一般吹小晶元，電源晶元用的是320/風速20，wifi我感覺比較難拆，一般開到350風速不變。其實風速我覺得只要不吹走旁邊的小元件就可以了，我是從50慢慢嘗試調整下來的。
建議你還是買點料板、練手板多練習總結，實踐才能出真知。

I. 用風槍吹大QFn晶元溫度調多高

300度。用熱風槍吹晶元溫度根據CPU的類別和熱風槍的溫度和風速BGA晶元熱風槍溫度300℃風速80至100檔，換大風口在晶元上加助焊膏保持風槍口離被拆除。

J. 晶元的極限溫度是多少

晶元的極限溫度是多少

晶元的極限溫度與額定電壓和電流一樣是絕對的嗎?盡管集成電路製造商不能保證晶元在其額定溫度范圍之外也正常工作，但當超出其溫度范圍限制時，晶元不會突然停止工作。但是如果工程師需要在其他溫度下使用晶元，那麼他們必須確定這些晶元的工作情況，以及晶元行為的一致性。

一些有用的常用規則

當溫度約為185~200°C(具體值取決於工藝)，增加的漏電和降低的增益將使得硅晶元的工作不可預測，並且摻雜劑的加速擴散會把晶元壽命縮短至數百小時，或者最好的`情況下，也可能僅有數千小時。不過在某些應用中，可以接受高溫對晶元造成的較低性能和較短壽命影響，如鑽頭儀器儀表應用，晶元常常工作在高溫環境下。但如果溫度變得更高，那麼晶元的工作壽命就可能變得太短，以至於無法使用。

在非常低的溫度下，降低載流子遷移率最終導致晶元停止工作，但是某些電路卻能夠在低於50K的溫度下正常工作，盡管該溫度已經超出了標稱范圍。

基本的物理性質並不是唯一的限制因素

設計上的權衡考慮可能會使晶元在某一溫度范圍內的性能得到改善，但是在該溫度范圍外晶元卻會發生故障。例如，如果AD590溫度感測器在上電後並逐漸冷卻的情況下，它可工作於液氮中，但是在77K時卻不能直接啟動。

性能優化導致了更加微妙的影響

商用級晶元在0~70°C的溫度范圍內具有非常好的精度，但是在該溫度范圍外，精度卻會變得很差。而相同晶元的軍用級產品由於採用了不同的微調演算法，或者甚至使用略有差別的電路設計，使它能夠在-55~+155°C的寬溫度范圍內保持略低於商用級晶元的精度。商用級標准和軍用級標准之間的差別並不僅僅是由不同的測試方案導致的。

還存在另外兩個問題

第一個問題：封裝材料的特性，封裝材料可能會在硅失效之前就失效。

第二個問題：熱沖擊的影響。AD590在緩慢冷卻的情況下，在77K的溫度下也能夠工作的這種特性，並不意味著其在較高的瞬態熱力學應用下突然被放置到液氮中，還能同樣正常工作。

在晶元的標稱溫度范圍外使用的唯一方法就是測試，測試，再測試，這樣才確保您能夠理解非標准溫度對幾個不同批次的晶元行為的影響。檢查您所有的假設。晶元製造商有可能會向您提供相關幫助，但是也可能不會給出有關標稱溫度范圍外的晶元工作的任何信息。

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