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塑封集成電路多少度合適

發布時間: 2022-05-05 13:17:28

⑴ 塑封時溫度應該調到多少度啊

綜述

1、150度左右;除了溫度還要看塑封紙的質量,有的紙質量好,比較耐高溫,150度左右沒問題,低了反而封不上。

2、塑封方式有熱塑和冷塑兩種。熱塑是利用多段式溫控,滾動加熱方式產生高溫對塑封膜和資料頁進行定型處理。冷塑是採用帶有粘性或磁性的塑封膜在不需要加熱的情況下對塑封膜和資料頁進行定型處理。

3、塑封資料頁時,需先將塑封膜分開,將資料頁夾在中間,使塑封膜的塗膠面面對資料頁,然後將塑封膜合上,從前向後送入塑封機中加熱,經前後膠輥對壓後,從後出料口出來,從而達到塑封的目的。

4、冷裱就是採用冷裱技術在圖片和照片上覆上一層冷裱膜。較小的照片或圖片完全可以手工貼製冷裱膜。如果需要覆膜的對象較大,就需要使用冷裱機了。冷裱膜是用透明PVC經背膠加工製成,按膜面的紋理可分為光膜、啞膜和特殊紋理的保護膜,在廣告製作中大量使用的是光膜和啞膜。

5、冷裱膜用冷裱機等設備裱覆在寫真列印的畫面上,避免畫面(列印面)被劃傷、污染或淋濕,起到保護畫面的作用。

⑵ 用塑封機塑封A4紙溫度控制在多少合適

塑封膜有高溫膜、低溫膜、冷裱膜。高溫膜一般150-200度;低溫膜110-150度;冷裱膜30-50度或不加熱

⑶ 溫度對集成電路的影響

溫度對集成電路的影響。這個問題涉及的面很大,對集成電路里的元件來說,溫度上升1度,PN結的正向壓降減少約2.2mV,電阻的阻值會上升,具體上升的數值,視電阻的品種不同而不同。例如在N型矽片上,摻硼形成的電阻,上升2%左右,三極體的飽和壓降會下降一些,下降多少?我手中暫無數據。對於運算放大器來說,有一項參數是「溫度漂移」,當然有些品種的運算放大器有對抗溫度漂移的設計,因此溫度對這些集成電路的影響,是各不相同的。

⑷ 當前的集成電路工作溫度受什麼決定

負載電流、工作頻率、電壓(電壓低會導致內部功率管不能開盡)、環境溫度

⑸ 塑封集成電路的電鍍問題

一般電鍍工藝溫度不超過70度,溫度過高會對電鍍液穩定性產生影響。
普通塑封電路(比如DIP/TO等)進行1000小時150度的高溫貯存管腳不應該氧化,超過175度的高溫要看電鍍的質量了,最好是通氮氣做高溫比較穩妥。

⑹ 塑料封裝集成電路的塑料如何熔化

當具有諸如分層等可靠性缺陷的微電子器件焊接在線路板上,通過迴流焊時會產生塑封體裂縫、塑封體鼓脹等重要缺陷。粘片膠未充分固化、水汽未完全排除、環境濕氣較大易吸濕等原因導致水汽沿著塑封體與引線引腳向內部擴散。表現為各結合面的分層,粘片膠與晶元之間、塑封體與引線之間、塑封體與晶元之間,各種分層在快速加熱產生的熱應力下水汽快速膨脹,從而引起器件可靠性隱患。

1 引言

近年來,塑料封裝以其低廉的成本,在電子整機產品中得到廣泛應用,代替陶瓷封裝和金屬封裝成為封裝業的主流,同時塑料封裝集成電路的產品可靠性也不斷提升,幾乎可以與軍工產品相媲美。集成電路常規塑料封裝過程中,由於晶元始終要和粘片膠相結合,如果粘片膠內部濕氣未完全排除,塑封集成電路就會存在可靠性隱患,比如晶元分層、粘片膠分層等。晶元分層已有很多研究,不再討論,這里主要分析粘片膠分層對產品可靠性的影響。集成電路塑料封裝粘片膠高溫固化時間不夠,不能將高溫粘片膠中的水汽完全排出,使得產品受熱時高溫粘片膠中的水汽迅速膨脹,引起分層甚至產品爆裂,導致產品可靠性降低甚至失效。

2 分層原因分析

在集成電路封裝過程中,高溫粘片膠固化時間不足導致粘片膠固化不充分會影響產品可靠性,具體現象如下:在迴流焊過程中,部分封裝產品會出現封裝體底部有凸起現象而導致電路虛焊。對產品進行迴流焊實驗,迴流焊溫度為 250 ℃,迴流焊過程總時間為 7min,其中溫度在 175 ℃以上的時間為 2 min,當採用熱吹槍加熱到 270 ℃時,產品底部出現「鼓包裂開」。針對上述問題,需對樣品進行分析、驗證,並總結失效機理,制定預防改善措施,對產品先進行非破壞性分析和破壞性分析。

2.1 外觀檢查

對封裝產品的外觀進行檢測,發現正常產品的底部平整,異常產品封裝體的底部出現開裂現象,具體情況如圖 1 所示。

2.2 X-Ray 透視分析

X-Ray 檢查是指利用高電壓撞擊靶材產生 X 射線穿透,來檢測電子元器件、半導體封裝產品內部結構構造品質以及 SMT 各類型焊點焊接質量等。對失效封裝體底部開裂產品進行 X-Ray 檢查,如圖 2 所示,發現產品焊線良好。

2.3 SAT 掃描分析

SAM(Scanning Acoustic Microscope) 又被稱作SAT (Scanning Acoustic Tomography),同 X-Ray 一樣,也是半導體行業用的非接觸性檢測工具之一,可對 IC封裝內部結構進行非破壞性檢測,能有效檢出因水汽或熱能所造成的各種破壞,如填膠中的裂縫、封裝材料內部的氣孔等。對封裝體底部開裂產品進行超聲掃描(反射)檢查,如圖 3 所示,圈出區域表示有分層,發現產品的晶元表面和引線框架打線區域未出現分層,故判斷產品分層合格。

⑺ 換運放常說的金封是什麼意思

金封就是採用金屬圓殼(與3DG12三極體相同的那種封裝)封裝的運放,這類運放工作溫度范圍-55-150度。常用於軍品及飛行器中。屬於高可靠性IC。

⑻ 用熱風槍吹取晶元,溫度多少比較合適

一般常用的220度左右就行了。


集成電路英語:integrated circuit,縮寫作 IC;或稱微電路(microcircuit)、微晶元(microchip)、晶片/晶元(chip)在電子學中是一種將電路(主要包括半導體設備,也包括被動組件等)小型化的方式,並時常製造在半導體晶圓表面上。

電路製造在半導體晶元表面上的集成電路又稱薄膜(thin-film)集成電路。另有一種厚膜(thick-film)集成電路(hybrid integrated circuit)是由獨立半導體設備和被動組件,集成到襯底或線路板所構成的小型化電路。

從1949年到1957年,維爾納·雅各比(Werner Jacobi)、傑弗里·杜默(Jeffrey Dummer)、西德尼·達林頓(Sidney Darlington)、樽井康夫(Yasuo Tarui)都開發了原型,但現代集成電路是由傑克·基爾比在1958年發明的。其因此榮獲2000年諾貝爾物理獎,但同時間也發展出近代實用的集成電路的羅伯特·諾伊斯,卻早於1990年就過世。

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