晶体管多少值合适

❶ 晶体管计算HFE有好几个值应该取哪个值比如2sc2458 hfe70——700 应该用哪个值请高手赐教，谢谢

HFE与工作点有关，电流和电压过大或过小时HFE都会降低。所以需要根据选定的工作点来取HFE值。

❷ 晶体管定义和分类

1.场效应管主要有结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）。绝缘栅型
场效应管的衬底（B）与源析（S）连在一起，它的三个极分别为栅极（G）、漏极（D）
和源极（S）。晶体管分NPN和PNP管，它的三个极分别为基极（b）、集电极（c）、发射
极（e）。场效应管的G、D、S极与晶体管的b、c、e极有相似的功能。绝缘栅型效应管和
结型场效应管的区别在于它们的导电机构和电流控制原理根本不同，结型管是利用耗尽
区的宽度变化来改变导电沟道的宽窄以便控制漏极电流，绝缘栅型场效应管则是用半导
体表面的电场效应、电感应电荷的多少去改变导电沟道来控制电流。它们性质的差异使
结型场效应管往往运用在功放输入级（前级），绝缘栅型场效应管则用在功放末级（输
出级）。

2.双极型晶体管内部电流由两种载流子形成，它是利用电流来控制。场效应管是电
压控制器件，栅极（G）基本上不取电流，而晶体管的基极总要取一定的电流，所以在只
允许从信号源取极小量电流的情况下，应该选用场效应管。而在允许取一定量电流时，
选用晶体管进行放大，可以得到比场效应管高的电压放大倍数。

3.场效应管是利用多子导电（多子：电子为多数载流子，简称多子），而晶体管是
既利用多子，又利用少子（空穴为少数载流子，简称少子），由于少子的浓度易受温度
，辐射等外界条件的影响，因此在环境变化比较剧烈的条件下，采用场效应管比较合适
。

4.功率放大电路是一种弱电系统，具有很高的灵敏度，很容易接受外界和内部一些
无规则信号的影响，也就是在放大器的输入端短路时，输出端仍有一些无规则的电压或
电流变化输出，利用示波器或扬声器就可觉察到。这就是功率放大器的噪声或干扰电压
。噪声所产生的影响常用噪声系数Nf表示，单位为分贝（dB），Nf越小越好，Nf=输入信
号噪声比/输出信号噪声比，晶体管的噪声来源有三种：⑴热噪声：由于载流子不规则的
热运动，通过半导体管内的体电阻时而产生；⑵散粒噪声：通常所说的三极管中的电流
只是一个平均值，实际上通过发射结注入基区的载流子数目，在各个瞬时都不相同，因
而引起发射极电流或集电极电流有一无规则的流动，产生散粒噪声；⑶颤动噪声：晶体
管产生颤动噪声的原因现在还不十分清楚，但被设想为载流子在晶体表面的产生和复合
所引起，因此与半导体材料本身及工艺水平有关。而场效应管的噪声只产生于载流子的
运动，所以场效应管的Nf比晶体管的要小。

放大器不仅其放大其输入端的噪声，而且，放大器本身也存在噪声，所以其输
出端的信噪比必然小于输入端信噪比，放大器本身噪声越大，它的输出端信噪比就越小
于输入端信噪比，Nf就越大，所以在低噪声放大器的前级通常选用场效应管，或者低噪
声晶体管。

5.场效应管的漏、源极可以互换、耗尽型绝缘栅管的栅极电压可正，可负，灵活性
比晶体管强。不过在音响功率放大器中，场效应管多以N沟/P沟对管出现，晶体管也以PN
P/NPN对管出现。但场效应管在业余应用中较为脆弱，成本也较高。

从以上场效应管和晶体管的对比中不难发现，场效应管具有输入阻抗高、噪声
低、功耗低、热稳定性高、抗辐射能力强等优点，因此场效应管的总体性能上要优于晶
体管，在许多优秀的功率放大器中，场效应管得到了较为普遍的采用。而采用晶体管的
功率放大器取得靓声者也同样屡见不鲜。工程师根据两种管子的特性，取其各自的优点
，设计出一种组合管，效果嘛，当然比它们好。

❸ 求速解:multisim中如何选择合适的晶体管,或者如何修改晶体管的贝塔值

通常管帽上有色点来代表直流贝塔值读数规则跟色环电阻差不多只是数字后面加个0比方色点是绿色代表放大倍数为50左右色点是灰色倍数为80左右

❹ 晶体管的参数

二极管IN5304的参数
型号 VR（V） IF（A）VF（V）IR2（µA）IR1（µA）IPM（A）f（KHz）Tjm（℃）
IN5304 400 3 £0．8 £1000 £10 150 3 175
http://www1.gradjob.com.cn/EBSync/jpkc/ecation/jxwj/04zhsx/214.htm

三极管2SA1265的参数
晶体管型号 反压Vbeo 电流Icm 功率Pcm 放大系数 特征频率 管子类型
2SA1265 140V 10A 30W * * PNP
http://www.cdxhw.com/jtg.htm

❺ 晶体管的β值是不是越大越好

不是，β值是电流的放大倍数。不能越大越好，必须满足电路的要求，和周围电路相匹配

❻ 晶体管的主要参数有哪些

晶体管主要参数，晶体管主要参数晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。

晶体管主要参数

晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。
※ 电流放大系数
电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。
根据晶体管工作状态的不同，电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。
1、直流电流放大系数 直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用hFE或β表示。
2、交流电流放大系数 交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数，是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。
hFE或β既有区别又关系密切，两个参数值在低频时较接近，在高频时有一些差异。

耗散功率

耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。
耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。晶体管在使用时，其实际功耗不允许超过PCM值，否则会造成晶体管因过载而损坏。
通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管，PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管，将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。

频率特性

晶体管的电流放大系数与工作频率有关。若晶体管超过了其工作频率范围，则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用。
晶体管的频率特性参数主要包括特征频率fT和最高振荡频率fM等。
1、特征频率fT 晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fα时，其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降。特征频率是指β值降为1时晶体管的工作频率。
通常将特征频率fT小于或等于3MHZ的晶体管称为低频管，将fT大于或等于30MHZ的晶体管称为高频管，将fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶体管称为中频管。
2、最高振荡频率fM 最高振荡频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。
通常，高频晶体管的最高振荡频率低于共基极截止频率fα，而特征频率fT则高于共基极截止频率fα、低于共集电极截止频率fβ。
集电极最大电流ICM
集电极最大电流是指晶体管集电极所允许通过的最大电流。当晶体管的集电极电流IC超过ICM时，晶体管的β值等参数将发生明显变化，影响其正常工作，甚至还会损坏。
最大反向电压
最大反向电压是指晶体管在工作时所允许施加的最高工作电压。它包括集电极—发射极反向击穿电压、集电极—基极反向击穿电压和发射极—基极反向击穿电压。
1、集电极——集电极反向击穿电压 该电压是指当晶体管基极开路时，其集电极与发射极之间的最大允许反向电压，一般用VCEO或BVCEO表示。
2、基极—— 基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管发射极开路时，其集电极与基极之间的最大允许反向电压，用VCBO或BVCBO表示。
3、发射极——发射极反向击穿电压 该电压是指当晶体管的集电极开路时，其发射极与基极与之间的最大允许反向电压，用VEBO或BVEBO表示。

反向电流

晶体管的反向电流包括其集电极—基极之间的反向电流ICBO和集电极—发射极之间的反向击穿电流ICEO。
1．集电极——基极之间的反向电流ICBO ICBO也称集电结反向漏电电流，是指当晶体管的发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。ICBO对温度较敏感，该值越小，说明晶体管的温度特性越好。
2．集电极——发射极之间的反向击穿电流ICEO ICEO是指当晶体管的基极开路时，其集电极与发射极之间的反向漏电电流，也称穿透电流。此电流值越小，说明晶体管的性能越好。

❼ 三极管的主要参数有哪些

1、共射电流放大系数 和β
在共射极放大电路中，若交流输入信号为零，则管子各极间的电压和电流都是直流量，此时的集电极电流IC和基极电流IB的比就是 ， 称为共射直流电流放大系数。
当共射极放大电路有交流信号输入时，因交流信号的作用，必然会引起IB的变化，相应的也会引起IC的变化，两电流变化量的比称为共射交流电流放大系数β，即

（5-6）

上述两个电流放大系数 和β的含义虽然不同，但工作在输出特性曲线放大区平坦部分的三极管，两者的差异极小，可做近似相等处理，故在今后应用时，通常不加区分，直接互相替代使用。

由于制造工艺的分散性，同一型号三极管的β值差异较大。常用的小功率三极管，β值一般为20～100。β过小，管子的电流放大作用小，β过大，管子工作的稳定性差，一般选用β在40～80之间的管子较为合适。

2、极间反向饱和电流ICBO和ICEO

（1）集电结反向饱和电流ICBO是指发射极开路，集电结加反向电压时测得的集电极电流。常温下，硅管的ICBO在nA（10-9）的量级，通常可忽略。

（2）集电极-发射极反向电流ICEO是指基极开路时，集电极与发射极之间的反向电流，即穿透电流，穿透电流的大小受温度的影响较大，穿透电流小的管子热稳定性好。

3、极限参数

（1）集电极最大允许电流ICM

晶体管的集电极电流IC在相当大的范围内β值基本保持不变，但当IC的数值大到一定程度时，电流放大系数β值将下降。使β明显减少的IC即为ICM。为了使三极管在放大电路中能正常工作，IC不应超过ICM。

（2）集电极最大允许功耗PCM

晶体管工作时、集电极电流在集电结上将产生热量，产生热量所消耗的功率就是集电极的功耗PCM，即

PCM=ICUCE （5-7）

功耗与三极管的结温有关，结温又与环境温度、管子是否有散热器等条件相关。根据5-7式可在输出特性曲线上作出三极管的允许功耗线，如图5-8所示。功耗线的左下方为安全工作区，右上方为过损耗区。

手册上给出的PCM值是在常温下25℃时测得的。硅管集电结的上限温度为150℃左右，锗管为70℃左右，使用时应注意不要超过此值，否则管子将损坏。

（3）反向击穿电压UBR（CEO）

反向击穿电压UBR（CEO）是指基极开路时，加在集电极与发射极之间的最大允许电压。使用中如果管子两端的电压UCE＞UBR（CEO），集电极电流IC将急剧增大，这种现象称为击穿。管子击穿将造成三极管永久性的损坏。三极管电路在电源EC的值选得过大时，有可能会出现，当管子截止时，UCE＞UBR（CEO）导致三极管击穿而损坏的现象。一般情况下，三极管电路的电源电压EC应小于1/2 UBR（CEO）。

4、温度对三极管参数的影响

几乎所有的三极管参数都与温度有关，因此不容忽视。温度对下列的三个参数影响最大。

（1）对β的影响：

三极管的β随温度的升高将增大，温度每上升l℃，β值约增大0.5～1％，其结果是在相同的IB情况下，集电极电流IC随温度上升而增大。

（2）对反向饱和电流ICEO的影响：

ICEO是由少数载流子漂移运动形成的，它与环境温度关系很大，ICEO随温度上升会急剧增加。温度上升10℃，ICEO将增加一倍。由于硅管的ICEO很小，所以，温度对硅管ICEO的影响不大。

（3）对发射结电压ube的影响：

和二极管的正向特性一样，温度上升1℃，ube将下降2～2.5mV。

综上所述，随着温度的上升，β值将增大，iC也将增大，uCE将下降，这对三极管放大作用不利，使用中应采取相应的措施克服温度的影响。

❽ 普通晶体管阻值一般为多少，用万用表电阻档R*1，R*10，R*100，R*1K，还是其他档

要用*1K档，最好不用*1档。导通会有几K电阻，反向会有几百K。反差越大越好。

❾ 晶体管的主要参数

晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。
※ 电流放大系数
电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。
根据晶体管工作状态的不同，电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。
1、直流电流放大系数 直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用hFE或β表示。
2、交流电流放大系数 交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数，是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。
hFE或β既有区别又关系密切，两个参数值在低频时较接近，在高频时有一些差异。 晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。
半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为TTL电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得最普遍的是TTL与非门。TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个独立的元件。半导体三极管是电路中应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。
半导体三极管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极 (Base) 和集电极（Collector）；场效应晶体管的三个极，分别是源极 （Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。晶体管因为有三种极性，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极接地、集电极接地。最常用的用途应该是属于讯号放大这一方面，其次是阻抗匹配、讯号转换……等，晶体管在电路中是个很重要的组件，许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。
三极管的导通 三极管处于放大状态还是开关状态要看给三极管基极加的直流偏置，随这个电流变化，三极管工作状态由截止-线性区-饱和状态变化而变， 如果三极管Ib（直流偏置点）一定时，三极管工作在线性区，此时Ic电流的变化只随着Ib的交流信号变化，Ib继续升高，三极管进入饱和状态，此时三极管的Ic不再变化，三极管将工作在开关状态。
三极管为开关管使用时工作在饱和状态1，用放大状态1表示不是很科学。
请对照三极管手册的Ib；Ic曲线加以参考我的回答来理解三极管的工作状态，三极管be结和ce结导通三极管才能正常工作。
如果三极管没有加直流偏置时，放大电路时输入的交流正弦信号正半周时，基极对发射极而言是正的，由于发射结加的是反向电压，此时没有基极电流和集电极电流，此时集电极电流变化与基极反相，在输入电压的负半周，发射极电位对于基极电位为正的，此时由于发射极加的是正向电压，才有基极和集电极电流通过，此时集电极电流变化与基极同相， 在三极管没有加直流偏置时三极管be结和ce结导通，三极管放大电路将只有半个波输出将产生严重的失真。