mos电流多少瓦合适

❶ 一般的MOS功率管能承受多少A电流现在一块充电板想让它输出达10A电流，用2个功率管不知道能否承受得住

你的耐压要多高的？如果600v的那就用 12n60可以了，这颗mos是12a的电流600v耐压。看你留的余量多少咯。

❷ 怎么估算MOSFET到底要多大的驱动电流

没法估算.

因为行业标准,就是用电流元,充电Qg电量后,MOS导通.

但人们用的是电压元.

所以Qg并没有意义.

你需要注意的是,电流不要超过driver的驱动能力.

那么剩下的,就是用示波器,才找到合适的参数.

需要指出的是,driver的输出电流,不是电流元.

是相当于一个电压元串联一个可变电阻.

电流越大,输出电压就越小.

所以不要超过driver的驱动能力,在降低1V的情况下.

要么加大G的串联电阻,要末用大电流的driver.

你肯定会选择电阻的.

驱动根本没有必要太快,事实上,肯定是不快不慢为好.

❸ LED电源多大功率用多大电流的MOS管

这个是需要查表的，像4N60，明明标的是4A600V，但是用在220V直流上，它的最大功率不是220X4A=880W。实际他只有七八十瓦。所以，主要是看他的实际功率除以他的实际电流，也就是80瓦MOS配46WLED灯（LED功率=80W/1.732=46.19W)

❹ 一般功率mos管的导通电流参数如何选择

1. 是用N沟道还是P沟道 。选择好MOS管器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOS管。在典型的功率应用中，当一个MOS管接地，而负载连接到干线电压上时，该MOS管就构 成了低压侧开关。在低压侧开关中，应采用N沟道MOS管，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOS管连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开 关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOS管，这也是出于对电压驱动的考虑。
确定所需的额定电压，或者器件所能承受的最大电压。额定电压越大，器件 的成本就越高。根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。这样才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS管而言，必须确定漏极至源 极间可能承受的最大电压，即最大VDS。知道MOS管能承受的最大电压会随温度而变化这点十分重要。我们须在整个工作温度范围内测试电压的变化范围。额定 电压必须有足够的余量覆盖这个变化范围，确保电路不会失效。需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备（如电机或变压器）诱发的电压瞬变。不同应用的额定 电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220VAC应用为450～600V。 2. 确定MOS管的额定电流。该额定电流应是负载在所有情况下能够承受的最大电流。与电压的情况相似，确保所选的MOS管能承受这个额定电流，即使在系统产生 尖峰电流时。两个考虑的电流情况是连续模式和脉冲尖峰。在连续导通模式下，MOS管处于稳态，此时电流连续通过器件。脉冲尖峰是指有大量电涌（或尖峰电 流）流过器件。一旦确定了这些条件下的最大电流，只需直接选择能承受这个最大电流的器件便可。
选好额定电流后，还必须计算导通损耗。在实际情况 下，MOS管并不是理想的器件，因为在导电过程中会有电能损耗，这称之为导通损耗。MOS管在“导通”时就像一个可变电阻，由器件的RDS（ON）所确 定，并随温度而显着变化。器件的功率耗损可由Iload2×RDS（ON）计算，由于导通电阻随温度变化，因此功率耗损也会随之按比例变化。对MOS管施 加的电压VGS越高，RDS（ON）就会越小；反之RDS（ON）就会越高。注意RDS（ON）电阻会随着电流轻微上升。关于RDS（ON）电阻的各种电 气参数变化可在制造商提供的技术资料表中查到。
3.选择MOS管的下一步是系统的散热要求。须考虑两种不同的情况，即最坏情况和真实情况。建议采用针对最坏情况的计算结果，因为这个结果提供更大的安全余量，能确保系统不会失效。在MOS管的资料表上还有一些需要注意的测量数据；
器件的结温等于最大环境温度加上热阻与功率耗散的乘积（结温=最大环境温度+［热阻×功率耗散］）。根据这个式子可解出系统的最大功率耗散，即按定义相等于I2×RDS（ON）。我们已将要通过器件的最大电流，可以计算出不同温度下的RDS（ON）。另外，还要做好电路板 及其MOS管的散热。
雪崩击穿是指半导体器件上的反向电压超过最大值，并形成强电场使器件内电流增加。晶片尺寸的增加会提高抗雪崩能力，最终提高器件的稳健性。因此选择更大的封装件可以有效防止雪崩。
4. 选择MOS管的最后一步是决定MOS管的开关性能。影响开关性能的参数有很多，但最重要的是栅极/漏极、栅极/ 源极及漏极/源极电容。这些电容会在器件中产生开关损耗，因为在每次开关时都要对它们充电。MOS管的开关速度因此被降低，器件效率也下降。为计算开关过 程中器件的总损耗，要计算开通过程中的损耗（Eon）和关闭过程中的损耗（Eoff）。MOSFET开关的总功率可用如下方程表达：Psw= （Eon+Eoff）×开关频率。而栅极电荷（Qgd）对开关性能的影响最大。

❺ 请教MOS管，大家常说多少安培的MOS，耐压多少伏特的MOS，具体是指MOS管的那些参数啊

1、耐压值，额定电流值本身就是MOS管的重要参数。
2、还有很多参数，其中比较重要的是导通电阻、开关速度、开启电压和额定功率。
你的补充基本正确，但最大电流一处有错，MOS管的电流参数很多时候厂家会给出连续电流，短时间电流和峰值电流，泛指最大电流不是很恰当，所以在应用时要根据应用的实际情况，认真看具体mos管的详尽参数。

❻ mos管7n65做led电源多少瓦

7n65的电流最大可达6.5A,但mos管不同于三极管,它的导通电阻比大功率三极管大了一个数量级以上,容易发热,因此,它们在电路中的实际电流一般在1/10以下,如散热做得好可略高些,在220v电源下这个管子通常在50w左右的电源中使用,最大不应大于100w.

❼ 电路mos电流选择多大余量

一般1.5倍。
具体电路要具体分析。不同的负载，如阻性还是感性负载，余量是不同的。
不同的品牌同样型号的也是有差异的，老外本身做的余量会大一点，TW次之，再其次就是国内。虽然标的电压电流都相同，但区别也很大。